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絕緣材料測(cè)試儀器

高阻計(jì) 擊穿電壓測(cè)定儀表面體積電阻率測(cè)試儀耐電弧測(cè)試儀高壓/漏電起痕試驗(yàn)儀低壓/漏電起痕試驗(yàn)儀導(dǎo)電與防靜電材料電阻率介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀高溫直流測(cè)試系統(tǒng)

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工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀、北京華測(cè)*符合標(biāo)準(zhǔn)： GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。
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HCJDCS-C高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀、北京華測(cè)銷量*

更新時(shí)間：2023-08-29

型號(hào)：HCJDCS-C

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高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀、北京華測(cè)銷量*：高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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HCJDCS-B高頻介電常數(shù)測(cè)試儀、北京華測(cè)*

更新時(shí)間：2023-08-22

型號(hào)：HCJDCS-B

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高頻介電常數(shù)測(cè)試儀、北京華測(cè)*：高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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HCJDCS-A抗震好、高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

更新時(shí)間：2023-08-22

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抗震好、高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀: 高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

更新時(shí)間：2023-08-22

型號(hào)：HCJDCS-A

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高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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導(dǎo)電防靜電材料體積電阻率測(cè)試儀：在測(cè)量導(dǎo)電材料電阻率若采用三電極或二電極測(cè)量時(shí)會(huì)因?yàn)殡姌O與被測(cè)量材料表面電阻而影響測(cè)量準(zhǔn)確性，本裝置采用四電極（四點(diǎn)探針或四探針）法測(cè)量導(dǎo)電和防靜電材料體積電阻率，可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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Huace-991導(dǎo)電塑料體積電阻率試驗(yàn)儀器

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導(dǎo)電塑料體積電阻率試驗(yàn)儀器：在測(cè)量導(dǎo)電材料電阻率若采用三電極或二電極測(cè)量時(shí)會(huì)因?yàn)殡姌O與被測(cè)量材料表面電阻而影響測(cè)量準(zhǔn)確性，本裝置采用四電極（四點(diǎn)探針或四探針）法測(cè)量導(dǎo)電和防靜電材料體積電阻率，可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)Huace-600測(cè)試儀器

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操控性好高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)Huace-600測(cè)試儀器，該系統(tǒng)可以測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻，該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的。
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